RJK0328DPB-01#J0

RJK0328DPB-01#J0 - Renesas Electronics America

Numero di parte
RJK0328DPB-01#J0
fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.7546/pcs
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RJK0328DPB-01#J0 Descrizione dettagliata

Numero di parte RJK0328DPB-01#J0
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6380pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
Peso -
Paese d'origine -

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