RJK0328DPB-01#J0 - Renesas Electronics America

Número de pieza: RJK0328DPB-01#J0
Fabricante: Renesas Electronics America
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	RJK0328DPB-01#J0
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6380pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	LFPAK
Paquete / caja	SC-100, SOT-669
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	RJK0328DPB-01#J0	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK	Detalles