NP34N055SLE-E1-AY - Renesas Electronics America

Numero di parte	NP34N055SLE-E1-AY
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.2W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252 (MP-3ZK)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NP34N055SHE	REN	NP34N055SHE REN TO-252 New Original Stocks	Dettagli
NP34N055SHE-E1-AY	ORIGINAL	NP34N055SHE-E1-AY ORIGINAL TO/252 New Original Stocks	Dettagli
NP34N055SLE	REN	NP34N055SLE REN TO-252 New Original Stocks	Dettagli
NP34N055SLE-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 55V 34A TO-252	Dettagli