NP34N055SLE-E1-AY - Renesas Electronics America

Numéro d'article	NP34N055SLE-E1-AY
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	34A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.2W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 17A, 10V
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252 (MP-3ZK)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NP34N055SHE	REN	NP34N055SHE REN TO-252 New Original Stocks	Détails
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NP34N055SLE-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 55V 34A TO-252	Détails