DME20B010R - Panasonic Electronic Components

Numero di parte	DME20B010R
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN, PNP Complementary Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	210 @ 2mA, 10V
Potenza - Max	300mW
Frequenza - Transizione	150MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitore	Mini5-G3-B
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DME201010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5	Dettagli
DME201020R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 60V 0.5A MINI5	Dettagli
DME2050	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DME205010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6	Dettagli
DME20B010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5	Dettagli
DME20C010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5	Dettagli
DME2199	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DME2205	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DME2206	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DME2207	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli