DME201020R - Panasonic Electronic Components

Numero di parte	DME201020R
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN, PNP (Emitter Coupled)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 30mA, 300mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 150mA, 10V
Potenza - Max	300mW
Frequenza - Transizione	130MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitore	Mini5-G3-B
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DME201010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5	Dettagli
DME201020R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 60V 0.5A MINI5	Dettagli
DME2050	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DME205010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6	Dettagli
DME20B010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5	Dettagli
DME20C010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5	Dettagli
DME2199	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DME2205	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DME2206	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DME2207	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli