| Numero di parte | 2SC3311ASA |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 290 @ 2mA, 10V |
| Potenza - Max | 300mW |
| Frequenza - Transizione | 150MHz |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | NS-B1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | NS-B1 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2SC3000 | SAY | 2SC3000 SAY TO-92 New Original Stocks | Dettagli |
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2SC3007 | EXSHINE | SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) | Dettagli |
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2SC3011 | KEXIN | Silicon NPN Epitaxial | Dettagli |
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2SC3012 | EXSHINE | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR | Dettagli |
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2SC3013 | RENESAS | 2SC3013 RENESAS SOT-23 New Original Stocks | Dettagli |
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2SC3015 | RENESAS | 2SC3015 RENESAS SOT-23 New Original Stocks | Dettagli |
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2SC3030 | FUJI | TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING | Dettagli |
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2SC3031 | EXSHINE | High speed switching transistor | Dettagli |
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2SC3032 | EXSHINE | High speed switching transistor | Dettagli |
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2SC3033 | EXSHINE | High speed switching transistor | Dettagli |
