| Artikelnummer | 2SC3311ASA |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 290 @ 2mA, 10V |
| Leistung max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | NS-B1 |
| Lieferantengerätepaket | NS-B1 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
2SC3000 | SAY | 2SC3000 SAY TO-92 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2SC3007 | EXSHINE | SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) | Einzelheiten |
|
2SC3011 | KEXIN | Silicon NPN Epitaxial | Einzelheiten |
|
2SC3012 | EXSHINE | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2SC3013 | RENESAS | 2SC3013 RENESAS SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2SC3015 | RENESAS | 2SC3015 RENESAS SOT-23 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2SC3030 | FUJI | TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING | Einzelheiten |
|
2SC3031 | EXSHINE | High speed switching transistor | Einzelheiten |
|
2SC3032 | EXSHINE | High speed switching transistor | Einzelheiten |
|
2SC3033 | EXSHINE | High speed switching transistor | Einzelheiten |
