NVMFSW6D1N08HT1G - ON Semiconductor

Numero di parte	NVMFSW6D1N08HT1G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Ta), 89A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2085pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso	-
Paese d'origine	-