NVMFSW6D1N08HT1G

NVMFSW6D1N08HT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NVMFSW6D1N08HT1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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221357 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.74382/pcs
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NVMFSW6D1N08HT1G Description détaillée

Numéro d'article NVMFSW6D1N08HT1G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 89A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 120µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2085pF @ 40V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / cas 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids -
Pays d'origine -

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