| Numero di parte | NVMFS5826NLWFT3G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL | Dettagli |
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NVMFS5113PLWFT1G | ON Semiconductor | NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM | Dettagli |
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NVMFS5826NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Dettagli |
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NVMFS5826NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Dettagli |
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NVMFS5826NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Dettagli |
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NVMFS5826NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Dettagli |
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NVMFS5830NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL | Dettagli |
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NVMFS5830NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL | Dettagli |
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NVMFS5830NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL | Dettagli |
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NVMFS5830NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL | Dettagli |
