| Numero di parte | NVMFS5113PLWFT1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 64A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL | Dettagli |
|
NVMFS5113PLWFT1G | ON Semiconductor | NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM | Dettagli |
|
NVMFS5826NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Dettagli |
|
NVMFS5826NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Dettagli |
|
NVMFS5826NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Dettagli |
|
NVMFS5826NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Dettagli |
|
NVMFS5830NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL | Dettagli |
|
NVMFS5830NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL | Dettagli |
|
NVMFS5830NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL | Dettagli |
|
NVMFS5830NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL | Dettagli |
