NVA4001NT1G - ON Semiconductor

Numero di parte	NVA4001NT1G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	238mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 10mA, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-75, SOT-416
Pacchetto / caso	SC-75, SOT-416
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	NVA4001NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V SC75	Dettagli
	NVA4153NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75	Dettagli