NVA4001NT1G - ON Semiconductor

Número de pieza	NVA4001NT1G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	238mA (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V
Vgs (Max)	±10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 10mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SC-75, SOT-416
Paquete / caja	SC-75, SOT-416
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	NVA4001NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V SC75	Detalles
	NVA4153NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75	Detalles