NTTFS015P03P8ZTAG - ON Semiconductor

Numero di parte	NTTFS015P03P8ZTAG
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2706pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	NTTFS015P03P8ZTAG	ON Semiconductor	PFET U8FL 30V 15MO	Dettagli
	NTTFS015P03P8ZTWG	ON Semiconductor	PFET U8FL 30V 15MO	Dettagli