NTTFS015P03P8ZTAG - ON Semiconductor

Artikelnummer	NTTFS015P03P8ZTAG
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	62.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2706pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Fall	8-PowerWDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	NTTFS015P03P8ZTAG	ON Semiconductor	PFET U8FL 30V 15MO	Einzelheiten
	NTTFS015P03P8ZTWG	ON Semiconductor	PFET U8FL 30V 15MO	Einzelheiten