NTQD6866R2G

NTQD6866R2G - ON Semiconductor

Numero di parte
NTQD6866R2G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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NTQD6866R2G Descrizione dettagliata

Numero di parte NTQD6866R2G
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 16V
Potenza - Max 940mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP
Peso -
Paese d'origine -

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