NTQD6866R2G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NTQD6866R2G
État de la pièce	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 16V
Puissance - Max	940mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-TSSOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NTQD4154ZR2	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP	Détails
NTQD6866R2	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP	Détails
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