NTPF110N65S3HF - ON Semiconductor

Numero di parte	NTPF110N65S3HF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 740µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2635pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	240W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220FP
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-