NTPF110N65S3HF - ON Semiconductor

Artikelnummer	NTPF110N65S3HF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 740µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2635pF @ 400V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	240W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220FP
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-