NTMFS4108NT1G - ON Semiconductor

Numero di parte	NTMFS4108NT1G
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 21A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NTMFS08N003C	ON Semiconductor	PTNG 80/20V IN 5X6CLIP	Dettagli
NTMFS08N004C	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN	Dettagli
NTMFS08N2D5C	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 166A POWER56	Dettagli
NTMFS10N3D2C	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56	Dettagli
NTMFS10N7D2C	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN	Dettagli
NTMFS23D9N06HLT1G	ON Semiconductor	T8 60V LOW COSS	Dettagli
NTMFS4108NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL	Dettagli
NTMFS4108NT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 13.5A SO8FL	Dettagli
NTMFS4119NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL	Dettagli
NTMFS4119NT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL	Dettagli