NTMFS08N003C - ON Semiconductor

Numero di parte	NTMFS08N003C
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 147A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5350pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Power56
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NTMFD4901NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Dettagli
NTMFD4901NFT3G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Dettagli
NTMFD4902NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Dettagli
NTMFD4902NFT3G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Dettagli
NTMFD4951NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL	Dettagli
NTMFD4951NFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL	Dettagli
NTMFD4952NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL	Dettagli
NTMFD4952NFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL	Dettagli
NTMFD4C20NT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V SO8FL	Dettagli
NTMFD4C20NT3G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V SO8FL	Dettagli