NTHL040N65S3F - ON Semiconductor

Numero di parte	NTHL040N65S3F
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 6.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	158nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5940pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	446W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NTHL040N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247	Dettagli
NTHL065N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247	Dettagli
NTHL080N120SC1	ON Semiconductor	SIC MOS TO247 80MW 1200V	Dettagli
NTHL082N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247	Dettagli