NTHL040N65S3F - ON Semiconductor

Artikelnummer	NTHL040N65S3F
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 6.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	158nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5940pF @ 400V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	446W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NTHL040N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247	Einzelheiten
NTHL065N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247	Einzelheiten
NTHL080N120SC1	ON Semiconductor	SIC MOS TO247 80MW 1200V	Einzelheiten
NTHL082N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247	Einzelheiten