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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › NSV40301MDR2G
NSV40301MDR2G

NSV40301MDR2G - ON Semiconductor

Numero di parte
NSV40301MDR2G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NSV40301MDR2G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
77953 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.336/pcs
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NSV40301MDR2G Descrizione dettagliata

Numero di parte NSV40301MDR2G
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2A, 2V
Potenza - Max 653mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Peso -
Paese d'origine -

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