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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › NSV40200UW6T1G
NSV40200UW6T1G

NSV40200UW6T1G - ON Semiconductor

Numero di parte
NSV40200UW6T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NSV40200UW6T1G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
15000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3436/pcs
Il nostro prezzo
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NSV40200UW6T1G Descrizione dettagliata

Numero di parte NSV40200UW6T1G
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 20mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1A, 2V
Potenza - Max 875mW
Frequenza - Transizione 140MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2)
Peso -
Paese d'origine -

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