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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › NSM21356DW6T1G
NSM21356DW6T1G

NSM21356DW6T1G - ON Semiconductor

Numero di parte
NSM21356DW6T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NSM21356DW6T1G Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3896 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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NSM21356DW6T1G Descrizione dettagliata

Numero di parte NSM21356DW6T1G
Stato parte Obsolete
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 65V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 230mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso -
Paese d'origine -

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