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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › NSM21356DW6T1G
NSM21356DW6T1G

NSM21356DW6T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSM21356DW6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSM21356DW6T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4301 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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NSM21356DW6T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSM21356DW6T1G
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V, 65V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 230mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
NSM2103J375JR NSM2103J375JR OHIZUMI NSM2103J375JR OHIZUMI O805 New Original Stocks Einzelheiten
NSM21156DW6T1G NSM21156DW6T1G ON Semiconductor TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 Einzelheiten
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