| Numero di parte | FQU2N90TU-AM002 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 Ohm @ 850mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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FQU2N100 | FAIRCHILD | FQU2N100 FAIRCHILD TO-251 New Original Stocks | Dettagli |
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FQU2N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK | Dettagli |
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