FQU2N90TU-AM002 - ON Semiconductor

Número de pieza: FQU2N90TU-AM002
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 391455 pcs
Precio de referencia: USD 0.42061/pcs
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Número de pieza	FQU2N90TU-AM002
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 Ohm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	I-PAK
Paquete / caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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