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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › BD809G
BD809G

BD809G - ON Semiconductor

Numero di parte
BD809G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BD809G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
937 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.98/pcs
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BD809G Descrizione dettagliata

Numero di parte BD809G
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 300mA, 3A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V
Potenza - Max 90W
Frequenza - Transizione 1.5MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Peso -
Paese d'origine -

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