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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › BD809G
BD809G

BD809G - ON Semiconductor

Artikelnummer
BD809G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BD809G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
937 pcs
Referenzpreis
USD 0.98/pcs
Unser Preis
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BD809G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BD809G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V
Leistung max 90W
Frequenz - Übergang 1.5MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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