2SC6017-TL-E - ON Semiconductor

Numero di parte	2SC6017-TL-E
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)	10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	360mV @ 250mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max)	10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 1A, 2V
Potenza - Max	950mW
Frequenza - Transizione	200MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore	2-TP-FA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2SC6010(T2MITUM,FM	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 1A 600V SC71	Dettagli
2SC6011	Sanken	TRANS NPN 200V 15A TO3P	Dettagli
2SC6011A	Sanken	TRANS NPN 230V 15A TO3P	Dettagli
2SC6017-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 10A TP	Dettagli
2SC6017-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 10A TP-FA	Dettagli
2SC6017-TL-EX	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 10A	Dettagli
2SC6026CT-Y(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 50V 0.1A CST3	Dettagli
2SC6026CTGRTPL3	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 50V 0.1A CST3	Dettagli
2SC6026MFVGR,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 50V 0.15A VESM	Dettagli
2SC6027T100Q	ROHM	2SC6027T100Q ROHM SOT89 New Original Stocks	Dettagli