2SC6017-TL-E - ON Semiconductor

Artikelnummer	2SC6017-TL-E
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	360mV @ 250mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 1A, 2V
Leistung max	950mW
Frequenz - Übergang	200MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket	2-TP-FA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2SC6010(T2MITUM,FM	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 1A 600V SC71	Einzelheiten
2SC6011	Sanken	TRANS NPN 200V 15A TO3P	Einzelheiten
2SC6011A	Sanken	TRANS NPN 230V 15A TO3P	Einzelheiten
2SC6017-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 10A TP	Einzelheiten
2SC6017-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 10A TP-FA	Einzelheiten
2SC6017-TL-EX	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 10A	Einzelheiten
2SC6026CT-Y(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 50V 0.1A CST3	Einzelheiten
2SC6026CTGRTPL3	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 50V 0.1A CST3	Einzelheiten
2SC6026MFVGR,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN 50V 0.15A VESM	Einzelheiten
2SC6027T100Q	ROHM	2SC6027T100Q ROHM SOT89 New Original Stocks	Einzelheiten