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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › PDTC114YE,115
PDTC114YE,115

PDTC114YE,115 - NXP USA Inc.

Numero di parte
PDTC114YE,115
fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PDTC114YE,115 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
PDTC114YE,115.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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4309 pcs
Prezzo di riferimento
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PDTC114YE,115 Descrizione dettagliata

Numero di parte PDTC114YE,115
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore SC-75
Peso -
Paese d'origine -

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