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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › PSMN8R7-100YSFX
PSMN8R7-100YSFX

PSMN8R7-100YSFX - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PSMN8R7-100YSFX
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PSMN8R7-100YSFX Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
225255 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.73095/pcs
Il nostro prezzo
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PSMN8R7-100YSFX Descrizione dettagliata

Numero di parte PSMN8R7-100YSFX
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.5nC @ 10V
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 198W
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
Peso -
Paese d'origine -

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