| Numero di parte | PSMN8R5-100PSFQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 98A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3181pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 183W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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PSMN8R0-30YL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK | Dettagli |
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PSMN8R0-30YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK | Dettagli |
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PSMN8R0-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK | Dettagli |
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PSMN8R0-40PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB | Dettagli |
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PSMN8R0-80YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 | Dettagli |
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PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK | Dettagli |
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PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK | Dettagli |
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PSMN8R5-100ESFQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 97A I2PAK | Dettagli |
_SOT226%20Pkg.jpg "PSMN8R5-100ESQ") |
PSMN8R5-100ESQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK | Dettagli |
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PSMN8R5-100PSFQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB | Dettagli |
