| Numéro d'article | PSMN8R5-100PSFQ |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 98A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44.5nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3181pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 183W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220AB |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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PSMN8R0-30YL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK | Détails |
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PSMN8R0-30YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK | Détails |
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PSMN8R0-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK | Détails |
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PSMN8R0-40PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB | Détails |
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PSMN8R0-80YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 | Détails |
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PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK | Détails |
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PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK | Détails |
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PSMN8R5-100ESFQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 97A I2PAK | Détails |
_SOT226%20Pkg.jpg "PSMN8R5-100ESQ") |
PSMN8R5-100ESQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK | Détails |
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PSMN8R5-100PSFQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB | Détails |
