PSMN8R5-100PSFQ - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PSMN8R5-100PSFQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	98A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	44.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3181pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	183W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.7 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PSMN8R0-30YL,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK	Détails
PSMN8R0-30YLC,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK	Détails
PSMN8R0-40BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK	Détails
PSMN8R0-40PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB	Détails
PSMN8R0-80YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56	Détails
PSMN8R2-80YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK	Détails
PSMN8R3-40YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK	Détails
PSMN8R5-100ESFQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 97A I2PAK	Détails
PSMN8R5-100ESQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK	Détails
PSMN8R5-100PSFQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB	Détails