PSMN1R0-40ULDX - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PSMN1R0-40ULDX
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	280A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	127nC @ 10V
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	164W
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SOT-1023, 4-LFPAK
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PSMN102-200Y,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK	Dettagli
PSMN130-200D	NXP	PSMN130-200D NXP SOT-25.. New Original Stocks	Dettagli
PSMN130-200D,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 20A DPAK	Dettagli
PSMN165-200K,518	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1	Dettagli
PSMN1R0-25YLDX	Nexperia USA Inc.	PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1	Dettagli
PSMN1R0-30YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	Dettagli
PSMN1R0-30YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	Dettagli
PSMN1R0-40ULDX	Nexperia USA Inc.	PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS	Dettagli
PSMN1R0-40YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK	Dettagli
PSMN1R1-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	Dettagli