PSMN1R0-40ULDX - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PSMN1R0-40ULDX
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	280A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	127nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	164W
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fall	SOT-1023, 4-LFPAK
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PSMN102-200Y,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK	Einzelheiten
PSMN130-200D	NXP	PSMN130-200D NXP SOT-25.. New Original Stocks	Einzelheiten
PSMN130-200D,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 20A DPAK	Einzelheiten
PSMN165-200K,518	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1	Einzelheiten
PSMN1R0-25YLDX	Nexperia USA Inc.	PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1	Einzelheiten
PSMN1R0-30YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	Einzelheiten
PSMN1R0-30YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	Einzelheiten
PSMN1R0-40ULDX	Nexperia USA Inc.	PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS	Einzelheiten
PSMN1R0-40YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK	Einzelheiten
PSMN1R1-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	Einzelheiten