| Numero di parte | PMT200EPEX |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.9nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 822pF @ 35V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-73 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | Dettagli |
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PMT200EN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | Dettagli |
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PMT200EPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73 | Dettagli |
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PMT200EPEX | Nexperia USA Inc. | PMT200EPE/SOT223/SC-73 | Dettagli |
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PMT20G | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | Dettagli |
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PMT20I | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY | Dettagli |
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PMT20IM | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE | Dettagli |
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PMT20RG | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | Dettagli |
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PMT20RGT | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | Dettagli |
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PMT20RI | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY | Dettagli |
