PHKD13N03LT,518

PHKD13N03LT,518 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PHKD13N03LT,518
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.3203/pcs
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PHKD13N03LT,518 Descrizione dettagliata

Numero di parte PHKD13N03LT,518
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 752pF @ 15V
Potenza - Max 3.57W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Peso -
Paese d'origine -

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