PHKD13N03LT,518

PHKD13N03LT,518 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PHKD13N03LT,518
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
PHKD13N03LT,518.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
78972 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3203/pcs
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PHKD13N03LT,518 Description détaillée

Numéro d'article PHKD13N03LT,518
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 752pF @ 15V
Puissance - Max 3.57W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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