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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › PH3120L,115
PH3120L,115

PH3120L,115 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PH3120L,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PH3120L,115 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
PH3120L,115.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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PH3120L,115 Descrizione dettagliata

Numero di parte PH3120L,115
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4457pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.65 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
Peso -
Paese d'origine -

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