PH3120L,115

PH3120L,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PH3120L,115
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4321 pcs
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PH3120L,115 Description détaillée

Numéro d'article PH3120L,115
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 48.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4457pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.65 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas SC-100, SOT-669
Poids -
Pays d'origine -

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