PH3120L,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PH3120L,115
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	48.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4457pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas	SC-100, SOT-669
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PH3120L,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK	Détails
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