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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › BC857C/DG/B3,215
BC857C/DG/B3,215

BC857C/DG/B3,215 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
BC857C/DG/B3,215
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BC857C/DG/B3,215 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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BC857C/DG/B3,215 Descrizione dettagliata

Numero di parte BC857C/DG/B3,215
Stato parte Obsolete
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Potenza - Max 250mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB
Peso -
Paese d'origine -

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