BC857C/DG/B3,215

BC857C/DG/B3,215 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
BC857C/DG/B3,215
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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1 Day
Code de date
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BC857C/DG/B3,215 Description détaillée

Numéro d'article BC857C/DG/B3,215
État de la pièce Obsolete
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 15nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Puissance - Max 250mW
Fréquence - Transition 100MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur TO-236AB
Poids -
Pays d'origine -

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