| Numero di parte | JANTX2N3810L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Potenza - Max | 350mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Dettagli |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Dettagli |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Dettagli |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Dettagli |
