| Artikelnummer | JANTX2N3810L |
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| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 PNP (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Leistung max | 350mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-78-6 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-78-6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Einzelheiten |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Einzelheiten |
