| Numero di parte | JANS2N3019 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Potenza - Max | 800mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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JANS1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35 | Dettagli |
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JANS1N3595US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200MA DO35 | Dettagli |
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JANS1N4099-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 | Dettagli |
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JANS1N4100-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 | Dettagli |
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JANS1N4105UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA | Dettagli |
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JANS1N4109UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA | Dettagli |
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JANS1N4118UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA | Dettagli |
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JANS1N4120-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | Dettagli |
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JANS1N4125UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA | Dettagli |
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JANS1N4461 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL | Dettagli |
